2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司宣布全球首顆8英寸氧化鎵單晶襯底成功問世，標志著中國半導體產(chǎn)業(yè)在第四代材料領域實現(xiàn)跨越式突破。作為鎵仁半導體的核心合作伙伴，?光谷薄膜憑借自主研發(fā)的霍爾效應測試儀，為其氧化鎵單晶產(chǎn)品提供了第三方檢測支持，以高精度、多維度的電學性能數(shù)據(jù)驗證了材料的產(chǎn)業(yè)化潛力?。
針對8英寸氧化鎵單晶襯底的導電型與UID兩種晶體，光谷薄膜霍爾效應測試儀通過范德堡法同步測定了電阻率、載流子濃度等關鍵參數(shù)：
導電型晶體?：電阻率低至25mΩ·cm，載流子濃度達2.9×101? cm?1；
UID晶體?：電阻率高達664mΩ·cm，載流子濃度僅6.9×101? cm?1?。
光谷薄膜為鎵仁半導體氧化鎵單晶襯底出具的檢測報告
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氧化鎵作為超寬禁帶半導體，其電學性能的穩(wěn)定性直接影響器件可靠性。光谷薄膜霍爾效應測試通過以下應用場景為產(chǎn)業(yè)升級提供支撐：
材料篩選?：鑒別N/P型導電類型，評估晶體缺陷與摻雜均勻性?；
工藝監(jiān)控?：實時反饋電阻率分布，指導單晶生長參數(shù)調整?；
器件設計?：提供遷移率與載流子濃度關聯(lián)數(shù)據(jù)，縮短芯片研發(fā)周期；
合作共贏：推動國產(chǎn)半導體生態(tài)建設。?
鎵仁半導體8英寸氧化鎵單晶的突破，不僅刷新了全球技術紀錄，更驗證了國產(chǎn)檢測設備的國際競爭力。光谷薄膜憑借在GaN、SiC等寬禁帶材料領域的成熟經(jīng)驗，持續(xù)為氧化鎵等第四代半導體產(chǎn)業(yè)化提供“中國方案”，助力構建從材料、設備到芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈?。
